Ion Implantation Laboratory - IF UFRGS: mudanças entre as edições

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[[Imagem:Implan6c.jpg|thumb|700px|center|Ion Implantation Laboratory.]]
[[Imagem:Implan6c.jpg|thumb|700px|center|Ion Implantation Laboratory.]]
= Infrastructure =
{| style="text-align: center; width: 100%" border="1" cellspacing="2" cellpadding="2"
| [[Image:Tandetron.jpg|center|thumb| Accelerator Tandetron 3MV]]
| [[Image:HV500c.jpg|center|thumb| Accelerator 500 kV]]
| [[Image:250.jpg|center|thumb| Accelerator 250 kV]]
|-
| [[Image:fornos.jpg|center|thumb| Reactors and Furnaces]]
| [[Image:optica.jpg|center|thumb| Optics]]
| [[Image:preparo.jpg|center|thumb| Sample Preparation Room]]
|-
| [[Image:oficina.jpg|center|thumb| Mechanical Workshop]]
| [[Image:apoio.jpg|center|thumb| Entrance Hall]]
| [[Image:250.jpg|center|thumb| Accelerator 250 kV]]
|}
<br />
= Analytical Techniques  =
'''ION BEAM ANALYTICAL TECHNIQUES'''
*Rutherford Backscattering Spectrometry ([[RBS]]) and Channelling
*Nuclar Reaction Analysis ([[NRA]])
*Elastic Recoil Detection Analysis ([[ERDA]])
*Particle Induced X-Ray Emission ([[PIXE]])
*Medium Energy Ion Scattering ([[MEIS]])
'''ION IMPLANTATION AND IRRADIATION'''
List of ion beams already used at the 3 MV Tandetron accelerator [[https://wiki.if.ufrgs.br/index.php/Arquivo:Table_Tandetron.jpg]]
List of ion beams already used at the 500 kV ion implanter [[https://wiki.if.ufrgs.br/index.php/Arquivo:Table_implanter.jpg]]
Additional Information [[https://wiki.if.ufrgs.br/index.php/Arquivo:Table_ad_inf.jpg]]






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Announcements =
'''BIENNIAL REPORT 2017/18'''  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/arep2018.pdf]
 
'''BIENNIAL REPORT 2015/16'''  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/arep2016.pdf]
 
'''BIENNIAL REPORT 2013/14'''  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/arep2014.pdf]
 
ANNUAL REPORT 2012'  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/arep2012.pdf]
 
ANNUAL REPORT 2011    [http://www.if.ufrgs.br/~grande/arep2011.pdf]
 
ANNUAL REPORT 2010    [http://www.if.ufrgs.br/~grande/arep2010.pdf]
 
 
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= Information for external users =
 
For international users who want to apply for beamtime, please send an e-mail to Dr. '''Raquel Giulian (raquel.giulian@ufrgs.br)''' with the following information:
 
*Name, address and affiliation.
 
*Which techniques will be used, for what purposes. Previous results or results obtained by other techniques can be shown here to support the requested beamtime. If anyone from the group has previous experience with the requested technique, please mention it here.
 
*A list of samples to be analyzed and a summary of the expected results.
 
*Previous publications of the group if any.
 
Beamtime requests from external users will be evaluated by a local commitee and will be ranked according to the quality of the proposal, feasibility and possible outcomes.
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See info on location
https://www.google.com/maps/place/Institute+of+Physics/@-30.073662,-51.1216485,17z/data=!3m1!4b1!4m5!3m4!1s0x95199db1a713a34d:0x59d7e40ca991e3d3!8m2!3d-30.0736667!4d-51.1194545
 
and transport to Ion Implantation Laboratory 
https://moovitapp.com/index/en/public_transit-Ufrgs_Campus_Do_Vale-Porto_Alegre-site_14706268-964
 
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= Information for Brazilian users  =
 
For Brazilian users who want to apply for beamtime, please click here [http://www.ufrgs.br/lii]
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=  Regulations and Procedures =


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Linha 15: Linha 110:
'''TERMS OF AGREEMENT - EXTERNAL USERS'''  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/TermodeCompromisso.pdf]  
'''TERMS OF AGREEMENT - EXTERNAL USERS'''  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/TermodeCompromisso.pdf]  


'''PUBLICATION RULLES : AFFILIATION and ACKNOWLEDGEMENT'''  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/AffiliationandAcknowledgement.pdf]  
'''PUBLICATION RULES : AFFILIATION and ACKNOWLEDGEMENT'''  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/AffiliationandAcknowledgement.pdf]  


'''LABORATORY REGULATIONS AND PROCEDURES'''  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/regras.pdf]  
'''LABORATORY REGULATIONS AND PROCEDURES'''  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/regras.pdf]  


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[[Arquivo:premium.jpg]]
[[Arquivo:premium.jpg]]
Linha 40: Linha 136:
See also the National Institute of Surface Engineering blog [ http://bit.ly/MAdmsG]
See also the National Institute of Surface Engineering blog [ http://bit.ly/MAdmsG]


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'''BIENNIAL REPORT 2015/16'''  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/arep2016.pdf]
'''BIENNIAL REPORT 2013/14'''  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/arep2014.pdf]
ANNUAL REPORT 2012'  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/arep2012.pdf]
ANNUAL REPORT 2011    [http://www.if.ufrgs.br/~grande/arep2011.pdf]
ANNUAL REPORT 2010    [http://www.if.ufrgs.br/~grande/arep2010.pdf]




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Linha 70: Linha 153:
   
   
''' ION IMPLANTER 500 kV '''
''' ION IMPLANTER 500 kV '''
[https://www.ufrgs.br/lii/index.php?page=cronograma]


[https://calendar.google.com/calendar/embed?title=IMPLANTADOR%20500kV&showPrint=0&showTabs=0&showCalendars=0&showTz=0&height=600&wkst=1&bgcolor=%23FFFFFF&src=pt.brazilian%23holiday%40group.v.calendar.google.com&color=%23711616&src=174n4plvu0qa20acfrt7khn7jg%40group.calendar.google.com&color=%23853104&src=kcf13c10hg4438q7rethoi1trc%40group.calendar.google.com&color=%2323164E&ctz=America%2FSao_Paulo CRONOGRAMA]






''' TANDETRON 3 MV '''
''' TANDETRON 3 MV '''
[https://www.ufrgs.br/lii/index.php?page=cronograma]


[https://calendar.google.com/calendar/embed?title=TANDETRON%203MV&showPrint=0&showTabs=0&showCalendars=0&showTz=0&height=600&wkst=1&bgcolor=%23FFFFFF&src=implantador.ionico%40gmail.com&color=%23182C57&src=174n4plvu0qa20acfrt7khn7jg%40group.calendar.google.com&color=%23853104&src=pt.brazilian%23holiday%40group.v.calendar.google.com&color=%23711616&ctz=America%2FSao_Paulo CRONOGRAMA]




Linha 89: Linha 173:




'''PERMANENT SCHEDULE (Year/Semester: 2018/02)'''
'''PERMANENT SCHEDULE (Year/Semester: 2022/01)'''


{| style="text-align: left; width: 100%" border="1" cellspacing="2" cellpadding="2"
{| style="text-align: left; width: 100%" border="1" cellspacing="2" cellpadding="2"
Linha 102: Linha 186:
| -  
| -  
| -
| -
| lecture - Henri Boudinov
| -  
| -
| -
| -
| -
Linha 109: Linha 193:
| -  
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| -
| -
| lecture - Henri Boudinov
| -
| -
| -
| -
| -
Linha 116: Linha 200:
| -  
| -  
| -
| -
| lecture - Henri Boudinov
| -  
| -
| -
| -
| -
Linha 123: Linha 207:
| -
| -
| -
| -
| lecture - Henri Boudinov
| -
| -
| -
| -
| -
Linha 172: Linha 256:
| -
| -
| Group meeting - Johnny
| Group meeting - Johnny
| -
| Lecture - Henri Boudinov
| Lecture PG - Daniel
| Lecture PG - Daniel
| Group meeting - Cláudio Radtke
| Group meeting - Cláudio Radtke
|-
|-
| 14:00 - 14:30
| 14:00 - 14:30
| -
| Lecture PG - Pedro
| Group meeting - Johnny
| Group meeting - Johnny
| -
| Lecture - Henri Boudinov
| Lecture PG - Daniel
| Lecture PG - Daniel
| Group meeting - Cláudio Radtke
| Group meeting - Cláudio Radtke
|-
|-
| 14:30 - 15:00
| 14:30 - 15:00
| -
| Lecture PG - Pedro
| Group meeting - Johnny
| Group meeting - Johnny
| -
| Lecture - Henri Boudinov
| Lecture PG - Daniel
| Lecture PG - Daniel
| Group meeting - Cláudio Radtke
| Group meeting - Cláudio Radtke
|-
|-
| 15:00 - 15:30
| 15:00 - 15:30
| -
| Lecture PG - Pedro
| Group meeting - MEIS
| Group meeting - MEIS
| -
| Lecture - Henri Boudinov
| Meeting LII / Seminars
| Meeting LII / Seminars
| -
| -
|-
|-
| 15:30 - 16:00   
| 15:30 - 16:00   
| -
| Lecture PG - Pedro
| Group meeting - MEIS
| Group meeting - MEIS
| -
| Lecture - Henri Boudinov
| Meeting LII / Seminars
| Meeting LII / Seminars
| -
| -
Linha 207: Linha 291:
| Lecture - Fernanda
| Lecture - Fernanda
| Group Meeting - Paulo
| Group Meeting - Paulo
| -
| Lecture - Henri Boudinov
| Meeting LII / Seminars
| Meeting LII / Seminars
| -
| -
Linha 214: Linha 298:
| Lecture - Fernanda
| Lecture - Fernanda
| Group meeting - Paulo
| Group meeting - Paulo
| -
| Lecture - Henri Boudinov
| -
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| -
| -
Linha 248: Linha 332:




'''OCCASIONAL RESERVATION (Year/Semester: 2019/01)'''
'''OCCASIONAL RESERVATION (Year/Semester: 2022/01)'''


{| style="text-align: left; width: 100%" border="1" cellspacing="2" cellpadding="2"
{| style="text-align: left; width: 100%" border="1" cellspacing="2" cellpadding="2"
Linha 255: Linha 339:
| Contact Person
| Contact Person
| Comments
| Comments
|
|-
|-  
|07/05/2022 (Tuesday)
|14/02/2019 (Thursday)
|14:00 - 16:30
|09:00 - 12:00
|Paulo Fichtner
|Charles Bolzan
|Qualification Exam - Gabriel Trindade
|Practice
|-
|MM/DD/YYYY (WWWW)
|HH:MM - HH:MM
|RRRRR
|CCCCC
|-
|-


Linha 267: Linha 355:




To book the seminar room, talk to Prof. Leandro (leandro.langie@ufrgs.br  ramal 6550).
To book the seminar room, talk to Prof. Raul (raul@if.ufrgs.br  ramal 6551).
<br />
<br />
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Linha 291: Linha 379:
*''1. Ion-matter interactions:''
*''1. Ion-matter interactions:''


- plasmon excitation studies using molecular beams;
- Coulomb explosion studies of molecules and absolute perfilometry;
- determination of stopping powers of several ions in semi-light targets; 
- energy straggling study of different kinds of ions impingin in HfO<sub>2</sub>, ZrO<sub>2</sub> and Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>.
*''2. Physics of semiconductor devices:''                           
*''2. Physics of semiconductor devices:''                           
- technological processes;
- processing related defects in semiconductors;
- synthesis of new electronic materials;
- electrical measurements in micro and nanostructures.   
   
   
*''3. Fotoluminescence of Si and Ge nanocrystals formed by ion implantation in SiO<sub>2</sub> and Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> matrices and high temperature annealing.''
*''3. Fotoluminescence of Si and Ge nanocrystals formed by ion implantation in SiO<sub>2</sub> and Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> matrices and high temperature annealing.''
   
   
*''4. Study of formation processes and structure of Sn, Pb and Ge nanocrystals formed by ion implantation in SiO<sub>2</sub>/Si and SiO<sub>2</sub>/SiN/Si.''  
*''4. Study of formation processes and structure of Sn, Pb and Ge nanocrystals formed by ion implantation in SiO<sub>2</sub>/Si and SiO<sub>2</sub>/SiN/Si.''  
Filmes de SiO<sub>2</sub> crescidos sobre Si e sobre SiN/Si, são implantados com íons de Sn, Ge e Pb e submetidos à tratamento térmico para formar nanoestruturas no interior do SiO<sub>2</sub> e nas interfaces. A caracterização microestrutural é feita com as técnicas de RBS, TEM e HRTEM. Usando tratamentos térmicos a diferentes T e diferentes atmosferas, é possível “fabricar” nanoilhas de diversos tamanhos e localizações. Resultados interessantes recentemente obtidos mostram que é possível obter nanocristais de Si unicamente nas interfaces SiO<sub>2</sub>/Si e SiO<sub>2</sub>/SiN. Estes resultados tem potencial aplicação na moderna tecnologia de informação (filtros óticos, memórias “flash”, etc).
   
   
*''5. Investigação de filmes dielétricos nanoscópicos para utilização como dielétrico de porta em dispositivos semicondutores avançados. ''  
*''5. Investigation of nanoscopic dielectric films to be used as dielectric gates in advanced semiconductor devices. ''  


-Processamento térmico. Estudo de transporte atômico. Passivação com hidrogênio e deutério. Estruturas MOS. Métodos de perfilometria com resolução sub-nanométrica por espalhamento de íons de energias intermediárias e por reações nucleares estreitas em baixas energias. Quantificação e perfilometria do hidrogênio por reação nuclear e dissolução química passo a passo.
*''6. Physicochemical characterization of semiconductor nanostructures.''  
- Filmes dielétricos crescidos termicamente sobre carbeto de silício.
Investigar os mecanismos de crescimento através da mobilidade das espécies O, N, H, C e Si em filmes dielétricos durante o tratamento térmico de c-SiC em atmosferas oxidantes, nitretantes e/ou passivantes utilizando traçagem isotópica e análise com resolução subnanométrica por feixes de íons (NRA, NRP, RBS, LEIS, SIMS). Caracterizar a interface  formada pelo filme dielétrico  e o substrato de SiC por XPS e AFM. Modelar esses processos.   
- Filmes dielétricos alternativos depositados sobre carbeto de silício.
Investigar a estabilidade térmica através da mobilidade das espécies: metal, O, H, C e Si em filmes dielétricos alternativos ao SiO<sub>2</sub> depositados sobre lâminas de carbeto de silício monocristalino durante o tratamento térmico em atmosferas oxidantes (O<sub>2</sub>), inertes (Ar, vácuo) e/ou passivantes (NO, H<sub>2</sub>) utilizando traçagem isotópica e análise com alta resolução por feixes de íons (principalmente reações nucleares). Caracterizar a interface formada por XPS, SIMS e AFM.
*''6. Caracterização Físico-Química de Nanoestruturas de Materiais Semicondutores.'' O principal objetivo desse projeto é uma descrição físico-química detalhada de nanocristais semicondutores. Em tal descrição, serão  abordados aspectos relacionados à alteração de sua superfície por tratamentos de passivação e funcionalização, além de sua exposição a ambientes oxidantes.   
   
   
*''7. Determinação da composição elementar de alimentos e estudo de mecanismos de transporte iônico em proteínas e células utilizando a técnica de PIXE (Particle-Induced X-ray Emission). ''  
*''7. Elemental composition characterization of food and study of the ionic transport mechanisms in proteins and cells using the PIXE technique. ''  


*''8. Efeitos da irradiação iônica nas propriedades estruturais de filmes de carbono amorfo hidrogenado''
*''8. Ion irradiation effects in structural properties of amorphous hydrogenated carbon films.''  
Íons de diferentes átomos e energias são usados para estudar os efeitos da irradiação em filmes de a-C:H bem como em filmes com N e F incorporados durante os processos de deposição. Os estudos são realizados com as técnicas de RBS, reação nuclear, Raman, AFM, nanoindentação e FTIR. Os resultados obtidos mostram que a irradiação modifica a estrutura, a dureza e o módulo de Young dos filmes. Talvez, o resultado mais importante obtido recentemente é o efeito da irradiação sobre a tensão interna, que para doses mais elevadas de íons (N<sup>+</sup> e Xe<sup>+</sup>) é nula. Face a diminuição significativa da tensão interna, atualmente estamos investigando propriedades de adesão e delaminação dos filmes irradiados.   
   
   
*''9. Análise de composição química e distribuição em profundidade dos diversos elementos componentes de nanolaminados de compostos metálicos e multicamadas nanoscópicos. ''  
*''9. Chemical compositional analysis and depth distribution profile of several elements in nanolaminate metalic compounds and nanoscopic multilayers. ''  
Métodos de perfilometria com resolução sub-nanométrica por espalhamento de íons de energias intermediárias e por reações nucleares estreitas em baixas energias. Quantificação e perfilometria do hidrogênio por reação nuclear e dissolução química passo a passo.
   
   
*''10. Implantação iônica de sistemas metálicos, poliméricos e cerâmicos por imersão em plasma.''  
*''10. Ion implantation of metalic, polymeric and ceramical systems by plasma imersion.''  
Caracterização mecânica, eletroquímica e tribológica dos sistemas implantados.
   
   
*''11. Revestimentos protetores nanoestruturados.''  
*''11. Nanostructured shieldings.''  
Preparação e caracterização física e mecânica de multicamadas nanoestruturadas de óxidos refratários (Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,  TiO<sub>2</sub>, ZrO<sub>2</sub>) para revestimento de ferramentas de corte destinadas a usinagem a seco. Investigação das relações entre composição, estrutura e propriedades mecânicas.
   
   
*''12. Aplicações da implantação iônica na otimização da estabilidade térmica da microestrutura de contatos e interconexões de Al e Cu em dispositivos microeletrônicos. ''  
*''12. Use of ion implantation in optimizing the thermal stability of the microstructure of contacts and interconnections of Al and Cu in microelectronic devices. ''  
Os estudos nesta área enfocam o desenvolvimento de pesquisa sistemática, visando a evolução da microestrutura de filmes finos de Al e Cu simulando interconexões metálicas em dispositivos de microeletrônica. Os efeitos da T e da operação em altas densidades de corrente (MA.cm<sup>-2</sup>) combinam-se aumentando a taxa de criação de vacâncias, direcionando o fluxo de átomos intersticiais através das colisões elétron de condução átomo da rede cristalina (da interconexão). Este fato cria regiões ricas em vacâncias, que crescem até provocar a ruptura da interconexão (falha por  eletromigração). Os efeitos da modificação de nanoestrutura das interconexões produzidas por implantação iônica e/ou por processos de tratamento térmico serão agora estudados medindo a condutividade elétrica destas interconexões (testes  de vida média).
   
   
*''13. Nanofios Semicondutores (síntese, modificação, caracterização e aplicações): ''  
*''13. Semiconductor nanowires (synthesis, modification, characterization and aplications). ''  
 
- síntese de nanofios verticalmente alinhados de ZnO através do método vapor-líquido-sólido (VLS) em substratos de Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>, Si, SiO<sub>2</sub>, ITO/Si, GaN/Si;
 
- dopagem de nanofios de ZnO por implantação iônica;
 
- caracterização de nanofios de ZnO por SEM, HRTEM, AFM, PL, XRD;
 
- medidas elétricas em nanofios individuais e grupos de fios, dopados e não dopados;


-"field emission" em nanofios de ZnO crescidos em diferentes padrões;
*''14 Formation of metalic standards for the selective growth of semiconductor nanowires using litography technique''
- sensoriamento de luz e gás a base de nanofios de ZnO.
*''14 Formação de padrões metálicos para o crescimento seletivo de nanofios semicondutores utilizando técnicas de litografia: ''  


- litografia óptica;


- nanolitografia por AFM;


- nanolitografia por íons individuais;


- litografia por micro-feixe iônico.


= Organograma =
= Laboratory Organization Chart =
[[Imagem:Organograma2015.png|thumb|700px|Organograma do Laboratório de Implantação Iônica - Reunião 17/03/2015 ]]
[[Imagem:Organograma2015.png|thumb|700px|Organograma do Laboratório de Implantação Iônica - Reunião 17/03/2015 ]]


'''Coordenador Geral''' - Prof. Pedro Luis Grande
'''General Coordinator''' - Prof. Pedro Luis Grande


'''Vice-coordenador Geral''' - Prof. Paulo. F.  P. Fichtner
'''General Vice-Coordinator ''' - Prof. Paulo. F.  P. Fichtner


'''Coordenador dos Aceleradores''' - Prof. Johnny F. Dias
'''Accelerators Coordinator''' - Prof. Johnny F. Dias


'''Vice-coordenador dos Aceleradores''' - Prof. Livio Amaral
'''Accelerators Vice-Coordenador''' - Prof. Livio Amaral






'''Comitê Gestor'''
'''Management Committee'''


Pedro Luis Grande,
Pedro Luis Grande,
Linha 392: Linha 435:




'''Sub-comitê Gestor - aceleradores'''
'''Management Sub-Committee - accelerators'''


Johnny F. Dias,
Johnny F. Dias,
Linha 399: Linha 442:




'''Comissão de usuários e RAU'''
'''Users Committee and RAU'''


José Henrique R. dos Santos,
José Henrique R. dos Santos,
Linha 405: Linha 448:
Leandro Araújo
Leandro Araújo


= Pessoal =
= Staff =


<font face="sans-serif">'''PESQUISADORES'''</font>
<font face="sans-serif">'''RESEARCHERS'''</font>


<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/6168905373490043 Fernando Claudio Zawislak], Dr. (IF, UFRGS, 1967) - Fundador e Coordenador Geral do Grupo desde 1980 até 2008 [mailto:zawislak@if.ufrgs.br] </font>
<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/6168905373490043 Fernando Claudio Zawislak], Dr. (IF, UFRGS, 1967) - Founder and General Coordinator of the Group from 1980 until 2008 [mailto:zawislak@if.ufrgs.br] </font>


<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/1888879974374014 Moni Behar], Dr. (UBA, ARGENTINA, 1970) - Coordenador dos Aceleradores desde 1982 até 2010 [mailto:behar@if.ufrgs.br] </font>
<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/1888879974374014 Moni Behar], Dr. (UBA, ARGENTINA, 1970) - Accelerators Coordinator from 1982 until 2010 [mailto:behar@if.ufrgs.br] </font>


<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/7503942249157750 Israel Jacob Rabin Baumvol], Dr. (IF, UFRGS, 1977) [mailto:israel@if.ufrgs.br] </font>
<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/7503942249157750 Israel Jacob Rabin Baumvol], Dr. (IF, UFRGS, 1977) [mailto:israel@if.ufrgs.br] </font>
Linha 419: Linha 462:
<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/3107128880946249 Paulo Fernando Papaleo Fichtner], Dr. (IF, UFRGS, 1987) [mailto:paulo.fichtner@ufrgs.br] </font>
<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/3107128880946249 Paulo Fernando Papaleo Fichtner], Dr. (IF, UFRGS, 1987) [mailto:paulo.fichtner@ufrgs.br] </font>


<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/6996978543675989 Pedro Luís Grande], Dr. (IF, UFRGS, 1989)- Coordenador Geral do Grupo a partir de 2009 [http://www.researcherid.com/rid/F-4065-2010 Researcher ID][mailto:grande@if.ufrgs.br] </font>
<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/6996978543675989 Pedro Luís Grande], Dr. (IF, UFRGS, 1989)- General Coordinator of the Group since 2009 [http://www.researcherid.com/rid/F-4065-2010 Researcher ID][mailto:grande@if.ufrgs.br] </font>


<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/1038716347038971 Johnny Ferraz Dias], Dr. (UG, BÉLGICA, 1994)- Coordenador dos Aceleradores a partir de 2010 [mailto:jfdias@if.ufrgs.br]</font>
<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/1038716347038971 Johnny Ferraz Dias], Dr. (UG, BÉLGICA, 1994)- Accelerators Coordinator since 2010 [mailto:jfdias@if.ufrgs.br]</font>


<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/7456235597127456 Henri Ivanov Boudinov] , Dr. (IE-BAN, BULGÁRIA, 1991) [mailto:henry@if.ufrgs.br]</font>
<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/7456235597127456 Henri Ivanov Boudinov] , Dr. (IE-BAN, BULGÁRIA, 1991) [mailto:henry@if.ufrgs.br]</font>
Linha 452: Linha 495:


<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/5087940395812427  Agenor Hentz da Silva], Dr. (IF,UFRGS, 2008) [mailto:agenor@gmail.com]</font>
<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/5087940395812427  Agenor Hentz da Silva], Dr. (IF,UFRGS, 2008) [mailto:agenor@gmail.com]</font>
<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/5186282788317424  Silma Alberton Corrêa], Dr. (IQ,UFRGS, 2013) [mailto: silma.alberton@ufrgs.br]</font>




<font face="sans-serif">'''PESQUISADORES ASSOCIADOS'''</font>
<font face="sans-serif">'''COLLABORATORS'''</font>


[http://lattes.cnpq.br/1357421038233208 <font size="-1" face="sans-serif">Douglas Langie da Silva</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr. (IF, UFRGS, 2004) - Colaborador, UFPel [mailto:douglaslangie@gmail.com]</font>
[http://lattes.cnpq.br/1357421038233208 <font size="-1" face="sans-serif">Douglas Langie da Silva</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr. (IF, UFRGS, 2004) - Colaborator, UFPel [mailto:douglaslangie@gmail.com]</font>


[http://lattes.cnpq.br/7323260281207063 <font size="-1" face="sans-serif">Eduardo Ceretta Moreira</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr (IF, UFRGS, 2000) - Colaborador, UNIPAMPA [mailto:eduardomoreira@unipampa.edu.br]</font>
[http://lattes.cnpq.br/7323260281207063 <font size="-1" face="sans-serif">Eduardo Ceretta Moreira</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr (IF, UFRGS, 2000) - Colaborator, UNIPAMPA [mailto:eduardomoreira@unipampa.edu.br]</font>


[http://lattes.cnpq.br/2296402907146130 <font size="-1" face="sans-serif">Irene Teresinha Santos Garcia</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr (IF, UFRGS, 2001) - Colaborador, UFPEL [mailto:irenetsgarcia@yahoo.com.br]</font>
[http://lattes.cnpq.br/2296402907146130 <font size="-1" face="sans-serif">Irene Teresinha Santos Garcia</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr (IF, UFRGS, 2001) - Colaborator, UFPEL [mailto:irenetsgarcia@yahoo.com.br]</font>


[http://lattes.cnpq.br/1961170773106816 <font size="-1" face="sans-serif">Uilson Schwantz Sias</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr. (IF, UFRGS, 2006) - Colaborador, CEFET-RS [mailto:uilson@cefetrs.tche.br]</font>
[http://lattes.cnpq.br/1961170773106816 <font size="-1" face="sans-serif">Uilson Schwantz Sias</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr. (IF, UFRGS, 2006) - Colaborator, CEFET-RS [mailto:uilson@cefetrs.tche.br]</font>


[http://lattes.cnpq.br/2375490528098026 <font size="-1" face="sans-serif">Felipe Kremer</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr. (IF, UFRGS, 2010) - Colaborador, ANU, Austrália  [mailto:kremer.felipe@gmail.com]</font>
[http://lattes.cnpq.br/2375490528098026 <font size="-1" face="sans-serif">Felipe Kremer</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr. (IF, UFRGS, 2010) - Colaborator, ANU, Austrália  [mailto:kremer.felipe@gmail.com]</font>


[http://lattes.cnpq.br/5747875882259575 <font size="-1" face="sans-serif">Carla Eliete Iochims dos Santos</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr. (IF, UFRGS, 2011) - Colaborador, USP-SP [mailto:carlaiochims@yahoo.com.br]</font>
[http://lattes.cnpq.br/5747875882259575 <font size="-1" face="sans-serif">Carla Eliete Iochims dos Santos</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr. (IF, UFRGS, 2011) - Colaborator, USP-SP [mailto:carlaiochims@yahoo.com.br]</font>




<font face="sans-serif">'''PÓS-DOUTORANDOS'''</font>
<font face="sans-serif">'''POST-DOCTORAL FELLOWS'''</font>


<font size="-1" face="sans-serif">Maurício de Albuquerque Sortica [mailto:mausortica@gmail.com]</font>
<font size="-1" face="sans-serif">Maurício de Albuquerque Sortica [mailto:mausortica@gmail.com]</font>
Linha 480: Linha 525:




<font face="sans-serif">'''RESPONSÁVEL TÉCNICO PELOS ACELERADORES'''</font>
<font face="sans-serif">'''ENGINEER RESPONSIBLE FOR THE ACCELERATORS'''</font>


<span class="MsoHyperlink"><font size="-1" face="sans-serif">Agostinho A. Bulla</font></span><font size="-1" face="sans-serif">, Eng. Elétrico [mailto:bulla@if.ufrgs.br]</font>
<span class="MsoHyperlink"><font size="-1" face="sans-serif">Agostinho A. Bulla</font></span><font size="-1" face="sans-serif">, Electrical Engineer [mailto:bulla@if.ufrgs.br]</font>




<font face="sans-serif">'''TÉCNICOS'''</font>
<font face="sans-serif">'''TECHNICAL STAFF'''</font>


<span class="MsoHyperlink"><font size="-1" face="sans-serif">Clodomiro F. Castello</font></span><font size="-1" face="sans-serif">, técnico operador dos aceleradores[mailto:miro@if.ufrgs.br ]</font>
<span class="MsoHyperlink"><font size="-1" face="sans-serif">Clodomiro F. Castello</font></span><font size="-1" face="sans-serif">, accelerators opperator[mailto:miro@if.ufrgs.br ]</font>


<span class="MsoHyperlink"><font size="-1" face="sans-serif">Paulo R. Borba</font></span><font size="-1" face="sans-serif">, técnico operador dos aceleradores [mailto:pborba@if.ufrgs.br]</font>
<span class="MsoHyperlink"><font size="-1" face="sans-serif">Leandro Tedesco Rossetto</font></span><font size="-1" face="sans-serif">, electrical engineer, accelerators opperator [mailto:leandro.rossetto@ufrgs.br]</font>


<span class="MsoHyperlink"><font size="-1" face="sans-serif">Paulo Kovalick</font></span><font size="-1" face="sans-serif">, técnico mecânico, responsável pela oficina mecânica [mailto:paulokovalick@hotmail.com]</font>
<span class="MsoHyperlink"><font size="-1" face="sans-serif">Paulo Kovalick</font></span><font size="-1" face="sans-serif">, mechanical engineer, responsible for the mechanical workshop [mailto:paulokovalick@hotmail.com]</font>




<font face="sans-serif">'''BOLSISTAS PREMIUM'''</font>
<font face="sans-serif">'''PREMIUM SCHOLARSHIP'''</font>


<font size="-1" face="sans-serif">Eduardo Ribeiro dos Santos [mailto:dududarth@gmail.com]</font>
<font size="-1" face="sans-serif">Eduardo Ribeiro dos Santos [mailto:dududarth@gmail.com]</font>


<font size="-1" face="sans-serif">Marcelo Cavagnolli [mailto:marceloc.eng@gmail.com]</font>
<font size="-1" face="sans-serif">Marco Aurélio Jahno Pereira [mailto:marco.pereira@ufrgs.br]</font>




<font face="sans-serif">'''ALUNOS DE DOUTORADO'''</font>
<font face="sans-serif">'''PHD STUDENTS'''</font>


<font size="-1" face="sans-serif">Anaí Duarte [mailto:anaiduarte@yahoo.com.br]</font>
<font size="-1" face="sans-serif">Anaí Duarte [mailto:anaiduarte@yahoo.com.br]</font>
Linha 538: Linha 583:




<font face="sans-serif">'''ALUNOS DE MESTRADO'''</font>
<font face="sans-serif">'''MASTERS STUDENTS'''</font>


<font size="-1" face="sans-serif">Eliasibe Luis de Souza [mailto:eluis10@gmail.com]</font>
<font size="-1" face="sans-serif">Eliasibe Luis de Souza [mailto:eluis10@gmail.com]</font>
Linha 548: Linha 593:




<font face="sans-serif">'''ALUNOS DE INICIAÇÃO CIENTÍFICA'''</font>
<font face="sans-serif">'''UNDERGRADUATE STUDENTS'''</font>


<font size="-1" face="sans-serif">Deiverti de Vila Bauer [mailto:deiverti.bauer@ufrgs.br]</font>
<font size="-1" face="sans-serif">Deiverti de Vila Bauer [mailto:deiverti.bauer@ufrgs.br]</font>
Linha 574: Linha 619:
<font size="-1" face="sans-serif">Gustavo Henrique Stedile Dartora [mailto:biggus360@gmail.com]</font>
<font size="-1" face="sans-serif">Gustavo Henrique Stedile Dartora [mailto:biggus360@gmail.com]</font>


= Infra-estrutura =
=Associated Laboratories=
{| style="text-align: center; width: 100%" border="1" cellspacing="2" cellpadding="2"
| [[Image:Tandetron.jpg|center|thumb| Acelerador [[Tandetron]] 3MV]]
| [[Image:HV500c.jpg|center|thumb| Acelerador [[500]] kV]]
| [[Image:250.jpg|center|thumb| Acelerador 250 kV]]
|-
| [[Image:fornos.jpg|center|thumb| [[Reatores]] e Fornos]]
| [[Image:optica.jpg|center|thumb| [[Óptica]]]]
| [[Image:preparo.jpg|center|thumb| Sala limpa e preparação]]
|-
| [[Image:oficina.jpg|center|thumb| [[Oficina]] Mecânica]]
| [[Image:apoio.jpg|center|thumb| Salas de apoio]]
| [[Image:250.jpg|center|thumb| Acelerador 250 kV]]
|}
<br />
 
= Técnicas  =
 
'''TÉCNICAS DE ANÁLISE POR FEIXE DE ÍONS'''
 
*Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford ([[RBS]]) e Canalização
 
*Análise por Reações Nucleares ([[NRA]])
 
*Análise por Detecção de Recuo Elástico ([[ERDA]])
 
*Emissão de Raios-X Induzida por Partículas ([[PIXE]])
 
*Espalhamento de Íons de Energia Média ([[MEIS]])
 
 
'''IMPLANTAÇÃO E IRRADIAÇÃO IÔNICA'''
 
=Laboratórios Associados=


*[http://www.if.ufrgs.br/microel Laboratório de Microeletrônica ]
*[http://www.if.ufrgs.br/microel Laboratório de Microeletrônica ]
Linha 623: Linha 634:
* [[Manual PowerMeis]]
* [[Manual PowerMeis]]


= Contato =
= Contact =


Laboratório de Implantação Iônica
Laboratório de Implantação Iônica
Linha 635: Linha 646:
Fax: +55-51 3308-7286
Fax: +55-51 3308-7286


= Ajuda =
= Help =


* [http://www.mediawiki.org/wiki/Manual:Configuration_settings Lista de opções de configuração]
* [http://www.mediawiki.org/wiki/Manual:Configuration_settings Lista de opções de configuração]
* [http://www.mediawiki.org/wiki/Manual:FAQ FAQ do MediaWiki]
* [http://www.mediawiki.org/wiki/Manual:FAQ FAQ do MediaWiki]
* [https://lists.wikimedia.org/mailman/listinfo/mediawiki-announce Lista de discussão com avisos de novas versões do MediaWiki]
* [https://lists.wikimedia.org/mailman/listinfo/mediawiki-announce Lista de discussão com avisos de novas versões do MediaWiki]

Edição das 15h17min de 29 de junho de 2022

Welcome !

Para a versão em português clique aqui

Ion Implantation Laboratory.

Infrastructure

Accelerator Tandetron 3MV
Accelerator 500 kV
Accelerator 250 kV
Reactors and Furnaces
Optics
Sample Preparation Room
Mechanical Workshop
Entrance Hall
Accelerator 250 kV


Analytical Techniques

ION BEAM ANALYTICAL TECHNIQUES

  • Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) and Channelling
  • Nuclar Reaction Analysis (NRA)
  • Elastic Recoil Detection Analysis (ERDA)
  • Particle Induced X-Ray Emission (PIXE)
  • Medium Energy Ion Scattering (MEIS)


ION IMPLANTATION AND IRRADIATION

List of ion beams already used at the 3 MV Tandetron accelerator [[1]]

List of ion beams already used at the 500 kV ion implanter [[2]]

Additional Information [[3]]





BIENNIAL REPORT 2017/18 [4]

BIENNIAL REPORT 2015/16 [5]

BIENNIAL REPORT 2013/14 [6]

ANNUAL REPORT 2012' [7]

ANNUAL REPORT 2011 [8]

ANNUAL REPORT 2010 [9]






Information for external users

For international users who want to apply for beamtime, please send an e-mail to Dr. Raquel Giulian (raquel.giulian@ufrgs.br) with the following information:

  • Name, address and affiliation.
  • Which techniques will be used, for what purposes. Previous results or results obtained by other techniques can be shown here to support the requested beamtime. If anyone from the group has previous experience with the requested technique, please mention it here.
  • A list of samples to be analyzed and a summary of the expected results.
  • Previous publications of the group if any.

Beamtime requests from external users will be evaluated by a local commitee and will be ranked according to the quality of the proposal, feasibility and possible outcomes.


See info on location https://www.google.com/maps/place/Institute+of+Physics/@-30.073662,-51.1216485,17z/data=!3m1!4b1!4m5!3m4!1s0x95199db1a713a34d:0x59d7e40ca991e3d3!8m2!3d-30.0736667!4d-51.1194545

and transport to Ion Implantation Laboratory https://moovitapp.com/index/en/public_transit-Ufrgs_Campus_Do_Vale-Porto_Alegre-site_14706268-964



Information for Brazilian users

For Brazilian users who want to apply for beamtime, please click here [10]




Regulations and Procedures



TERMS OF AGREEMENT - EXTERNAL USERS [11]

PUBLICATION RULES : AFFILIATION and ACKNOWLEDGEMENT [12]

LABORATORY REGULATIONS AND PROCEDURES [13]



Premium.jpg


The Ion Implantation Laboratory is a multi-user plataform IE-MULTI complying with the PREMIUM - PROPESQ program.

Infrastructure: Ion accelerators, annealing furnaces, mechanical workshop, sample preparation laboratories, seminar room.


Premium Program scholarship working hours

Horarios2.jpg


IAEA ACCELERATORS PORTAL - Accelerator Knowledge Portal [14]

See also the National Institute of Surface Engineering blog [ http://bit.ly/MAdmsG]




Pictures from the Ion Implantation Laboratory http://implantador.multiply.com



SCHEDULE (subject to change)

->To access, click on the respective links:


ION IMPLANTER 500 kV [15]



TANDETRON 3 MV [16]



Reservation - Seminar Room

The seminar room of the Ion Implantation Laboratory is for seminars, lectures and meetings. The permanent schedule for the seminar room is shown in the table below.



PERMANENT SCHEDULE (Year/Semester: 2022/01)

Time Monday Tuesday Wednesday Thursday Friday
8:30 - 9:00 - - - - -
9:00 - 9:30 - - - - -
9:30 - 10:00 - - - - -
10:00 - 10:30 - - - - -
10:30 - 11:00 - - - - -
11:00 - 11:30 - - - - -
11:30 - 12:00 - - - - -
12:00 - 12:30 - Group meeting - Raquel - - -
12:30 - 13:00 - Group meeting - Raquel - - Group meeting - Cláudio Radtke
13:00 - 13:30 - Group meeting - Johnny - - Group meeting - Cláudio Radtke
13:30 - 14:00 - Group meeting - Johnny Lecture - Henri Boudinov Lecture PG - Daniel Group meeting - Cláudio Radtke
14:00 - 14:30 Lecture PG - Pedro Group meeting - Johnny Lecture - Henri Boudinov Lecture PG - Daniel Group meeting - Cláudio Radtke
14:30 - 15:00 Lecture PG - Pedro Group meeting - Johnny Lecture - Henri Boudinov Lecture PG - Daniel Group meeting - Cláudio Radtke
15:00 - 15:30 Lecture PG - Pedro Group meeting - MEIS Lecture - Henri Boudinov Meeting LII / Seminars -
15:30 - 16:00 Lecture PG - Pedro Group meeting - MEIS Lecture - Henri Boudinov Meeting LII / Seminars -
16:00 - 16:30 Lecture - Fernanda Group Meeting - Paulo Lecture - Henri Boudinov Meeting LII / Seminars -
16:30 - 17:00 Lecture - Fernanda Group meeting - Paulo Lecture - Henri Boudinov - -
17:00 - 17:30 Lecture - Fernanda Group meeting - Paulo Group meeting - Henri Boudinov - -
17:30 - 18:30 - - Group meeting - Henri Boudinov - -
18:30 - - - - - -


The seminar room can be booked for occasional events whenever free. The occasional reservations already booked are the following:


OCCASIONAL RESERVATION (Year/Semester: 2022/01)

Day Time Contact Person Comments
07/05/2022 (Tuesday) 14:00 - 16:30 Paulo Fichtner Qualification Exam - Gabriel Trindade
MM/DD/YYYY (WWWW) HH:MM - HH:MM RRRRR CCCCC


To book the seminar room, talk to Prof. Raul (raul@if.ufrgs.br ramal 6551).


Pictures

http://implantador.multiply.com

History

The Ion Implantation Laboratory of the Physics Institute - UFRGS was founded in 1980 by Prof. Fernando C. Zawislak and colleagues who until then worked in the areas of perturbed angular correlation and nuclear physics. The activities of the Ion Implantation Laboratory began with the acquisition of the 400 kV accelerator in 1981 (and 1996 extended to 500 kV), with FINEP resources. In 1989 we received a 250 kV ion implanter as a donation from IBM (USA), which is dedicated to applications in microelectronics. Before the end of the 1990s, the Ion Implantation Laboratory was already one of UFRGS 'successful research facilities, not only for qualified scientific production, but also for the training of phd and master students, and for the intense international exchange.

Implantador
Acelerador Tandetron

As a result of this success, the Ion Implantation group received new financial support from FINEP, which allowed the acquisition, in January 1995, of a 3MV TANDEM accelerator, installed in a new building, and in operation since December 1996.

With these three accelerators, the Laboratory is able to produce ion beams of virtually all stable isotopes of the periodic table, allowing an action that covers, in addition to research in physics, many areas of materials science. On the other hand, the two machines of higher energy, and especially the Tandem accelerator of 3 MV, are efficient instruments in the analysis of materials, surfaces, interfaces and thin films, using Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS), Channeling, Nuclear Reaction Analysis (NRA), Elastic Recoil Detection Analysis (ERDA), Particle Induced X-Ray Emission (PIXE) and Scattering, all available at the Ion Implantation Laboratory of the Physics Institute of the Federal University of Rio Grande do Sul.


Research Lines

  • 1. Ion-matter interactions:
  • 2. Physics of semiconductor devices:
  • 3. Fotoluminescence of Si and Ge nanocrystals formed by ion implantation in SiO2 and Si3N4 matrices and high temperature annealing.
  • 4. Study of formation processes and structure of Sn, Pb and Ge nanocrystals formed by ion implantation in SiO2/Si and SiO2/SiN/Si.
  • 5. Investigation of nanoscopic dielectric films to be used as dielectric gates in advanced semiconductor devices.
  • 6. Physicochemical characterization of semiconductor nanostructures.
  • 7. Elemental composition characterization of food and study of the ionic transport mechanisms in proteins and cells using the PIXE technique.
  • 8. Ion irradiation effects in structural properties of amorphous hydrogenated carbon films.
  • 9. Chemical compositional analysis and depth distribution profile of several elements in nanolaminate metalic compounds and nanoscopic multilayers.
  • 10. Ion implantation of metalic, polymeric and ceramical systems by plasma imersion.
  • 11. Nanostructured shieldings.
  • 12. Use of ion implantation in optimizing the thermal stability of the microstructure of contacts and interconnections of Al and Cu in microelectronic devices.
  • 13. Semiconductor nanowires (synthesis, modification, characterization and aplications).
  • 14 Formation of metalic standards for the selective growth of semiconductor nanowires using litography technique



Laboratory Organization Chart

Organograma do Laboratório de Implantação Iônica - Reunião 17/03/2015

General Coordinator - Prof. Pedro Luis Grande

General Vice-Coordinator - Prof. Paulo. F. P. Fichtner

Accelerators Coordinator - Prof. Johnny F. Dias

Accelerators Vice-Coordenador - Prof. Livio Amaral


Management Committee

Pedro Luis Grande, Johnny F. Dias, Paulo F. P. Fichtner Livio Amaral, Henri Boudinov, Jonder Morais, Fernanda Stedile, Cláudio Radtke


Management Sub-Committee - accelerators

Johnny F. Dias, Agostinho Bulla, Livio Amaral


Users Committee and RAU

José Henrique R. dos Santos, Raquel Giulian, Leandro Araújo

Staff

RESEARCHERS

Fernando Claudio Zawislak, Dr. (IF, UFRGS, 1967) - Founder and General Coordinator of the Group from 1980 until 2008 [17]

Moni Behar, Dr. (UBA, ARGENTINA, 1970) - Accelerators Coordinator from 1982 until 2010 [18]

Israel Jacob Rabin Baumvol, Dr. (IF, UFRGS, 1977) [19]

Livio Amaral, Dr. (IF, UFRGS, 1982) [20]

Paulo Fernando Papaleo Fichtner, Dr. (IF, UFRGS, 1987) [21]

Pedro Luís Grande, Dr. (IF, UFRGS, 1989)- General Coordinator of the Group since 2009 Researcher ID[22]

Johnny Ferraz Dias, Dr. (UG, BÉLGICA, 1994)- Accelerators Coordinator since 2010 [23]

Henri Ivanov Boudinov , Dr. (IE-BAN, BULGÁRIA, 1991) [24]

Fernanda Chiarello Stedile, Dr. (IQ, UFRGS, 1994) [25]

Rafael Peretti Pezzi, Dr. (IF, UFRGS, 2009) [26] Caderno de Laboratório

Raul Carlos Fadanelli Filho, Dr. (IF, UFRGS, 2005) [27]

Ricardo Meurer Papaléo, Dr. (U.UPPSALA, SUÉCIA, 1996) - PUC-RS [28]

Rogério Luis Maltez, Dr.(IF, UFRGS, 1997) [29]

Jonder Morais, Dr.(IF, UFRGS, 1999) [30]

Claudio Radtke, Dr. (IF, UFRGS, 2003) [31]]

Cristiano Krug, Dr. (IF, UFRGS, 2003) [32]]

Daniel Lorscheitter Baptista, Dr. (IF, UFRGS, 2003) [33]

Gabriel Viera Soares, Dr. (IF, UFRGS, 2008) [34]

Leandro Langie Araujo, Dr. (IF, UFRGS, 2004) [35]

Raquel Giulian, Dr. (RSPE, ANU, AUSTRÁLIA, 2009) [36]

José Henrique Rodrigues dos Santos, Dr. (IF, UFRGS 1997) [37]

Agenor Hentz da Silva, Dr. (IF,UFRGS, 2008) [38]

Silma Alberton Corrêa, Dr. (IQ,UFRGS, 2013) [mailto: silma.alberton@ufrgs.br]


COLLABORATORS

Douglas Langie da Silva, Dr. (IF, UFRGS, 2004) - Colaborator, UFPel [39]

Eduardo Ceretta Moreira, Dr (IF, UFRGS, 2000) - Colaborator, UNIPAMPA [40]

Irene Teresinha Santos Garcia, Dr (IF, UFRGS, 2001) - Colaborator, UFPEL [41]

Uilson Schwantz Sias, Dr. (IF, UFRGS, 2006) - Colaborator, CEFET-RS [42]

Felipe Kremer, Dr. (IF, UFRGS, 2010) - Colaborator, ANU, Austrália [43]

Carla Eliete Iochims dos Santos, Dr. (IF, UFRGS, 2011) - Colaborator, USP-SP [44]


POST-DOCTORAL FELLOWS

Maurício de Albuquerque Sortica [45]

Paulo Fernandes Costa Jobim [46]

Rafael Leal [47]

Wellington Silva Fernandez [48]


ENGINEER RESPONSIBLE FOR THE ACCELERATORS

Agostinho A. Bulla, Electrical Engineer [49]


TECHNICAL STAFF

Clodomiro F. Castello, accelerators opperator[50]

Leandro Tedesco Rossetto, electrical engineer, accelerators opperator [51]

Paulo Kovalick, mechanical engineer, responsible for the mechanical workshop [52]


PREMIUM SCHOLARSHIP

Eduardo Ribeiro dos Santos [53]

Marco Aurélio Jahno Pereira [54]


PHD STUDENTS

Anaí Duarte [55]

Augusto Alexandre Durgante de Mattos [56]

Chiara das Dores do Nascimento [57]

Cláudia Telles de Souza [58]

Cristiane Marin [59]

Deise Schafer [60]

Elis Moura Stori [61]

Gabriel Marmitt [62]

Josiane Bueno Salazar [63]

Liana Appel Boufleur [64]

Lúcio Flávio dos Santos Rosa [65]

Masahiro Hatori [66]

Rafael Cardim Pazim [mailto:]

Roberto Moreno Souza dos Reis [67]

Tiago Silva de Ávila [68]

Zacarias Eduardo Fabrim [69]

Eduardo Pitthan Filho [70]


MASTERS STUDENTS

Eliasibe Luis de Souza [71]

João Wagner Oliveira [72]

Luiza Raquel Manfredi da Silva [73]


UNDERGRADUATE STUDENTS

Deiverti de Vila Bauer [74]

Felipe Dalponte Bregalda [75]

Guilherme Domingues Kolinger [76]

Jady Souza Feijó [77]

Júlio César Ferreira Tâmbara [78]

Lais Gomes de Almeida [79]

Mateus Vicente Wrasse Wiebusch Müller [80]

Mariana de Mello Timm [81]

Vanessa Sobrosa Souza [82]

Viviane Peçanha Antonio [83]

Lucas Hansen [84]

Gustavo Henrique Stedile Dartora [85]

Associated Laboratories

Links

Contact

Laboratório de Implantação Iônica Instituto de Física Universidade Federal do Rio Grande do Sul – UFRGS

Av. Bento Gonçalves, 9500 91501-970 Porto Alegre, RS Brasil Fone: +55-51 3308-7004 Fax: +55-51 3308-7286

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